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產(chǎn)品參考圖片
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APT20GF120BRDQ1G
  • 制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
  • 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
  • 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 36A 200W TO247
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    • 參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：APT20GF120BRDQ1G
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）
  • 描述：IGBT 1200V 36A 200W TO247
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • IGBT類型：NPT
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：36A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：64A
  • 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：3.2V @ 15V，15A
  • 功率-最大值：200W
  • 開關(guān)能量：895μJ（開），840μJ（關(guān)）
  • 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷：100nC
  • 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：10ns/120ns
  • 測(cè)試條件：800V，15A，4.3 歐姆，15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝：TO-247-3
  • APT20GF120BRDQ1G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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