Microsemi|美高森美公司產(chǎn)品型號(hào)搜索
APT33GF120B2RDQ2G供應(yīng)商
APT33GF120B2RDQ2G
制造廠商:Microsemi(中文名:美高森美)
類(lèi)別封裝:單路IGBT,原廠封裝
技術(shù)參數(shù):IGBT 1200V 64A 357W TMAX
(專(zhuān)注銷(xiāo)售Microsemi電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨。
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號(hào):APT33GF120B2RDQ2G制造商:Microsemi Corporation(美高森美)描述:IGBT 1200V 64A 357W TMAX系列:-IGBT 類(lèi)型:NPT電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):64ACurrent - Collector Pulsed (Icm):75A不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):3V @ 15V,25A功率 - 最大值:357WSwitching Energy:1.315μJ (開(kāi)), 1.515μJ (關(guān))輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)Gate Charge:170nC25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:14ns/185nsTest Condition:800V, 25A, 4.3 歐姆, 15V反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類(lèi)型:通孔供應(yīng)商器件封裝:*APT33GF120B2RDQ2G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷(xiāo)售代表確認(rèn)。
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