Microsemi，美高森美，Microsemi代理商
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APT33GF120B2RDQ2G供應(yīng)商
產(chǎn)品參考圖片
APT33GF120B2RDQ2G參考圖片
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APT33GF120B2RDQ2G
  • 制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
  • 類別封裝：單路IGBT，原廠封裝
  • 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 64A 357W TMAX
  • （專注銷售Microsemi電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨�。�
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    • 參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號：APT33GF120B2RDQ2G
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）
  • 描述：IGBT 1200V 64A 357W TMAX
  • 系列：-
  • IGBT 類型：NPT
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：64A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：75A
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：3V @ 15V，25A
  • 功率 - 最大值：357W
  • Switching Energy：1.315μJ （開）， 1.515μJ （關(guān)）
  • 輸入類型：標準
  • Gate Charge：170nC
  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：14ns/185ns
  • Test Condition：800V, 25A, 4.3 歐姆, 15V
  • 反向恢復時間 (trr)：-
  • 封裝/外殼：TO-247-3 變式
  • 安裝類型：通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝：*
  • APT33GF120B2RDQ2G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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