APT34F100B2
制造廠商:Microsemi(中文名:美高森美)
類別封裝:單端場效應管,T-MAX
技術參數:MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX
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參數詳情:
制造商產品型號:APT34F100B2制造商:Microsemi Corporation(美高森美)描述:MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX系列:POWER MOS 8?FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標準漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):35A(Tc)不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):380 毫歐 @ 18A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):305nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):9835pF @ 25V功率 - 最大值:1135W安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 變式供應商器件封裝:T-MAX [B2]APT34F100B2的訂貨細節(jié)及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。