Microsemi|美高森美公司產(chǎn)品型號搜索
APT45GP120B2DQ2G供應(yīng)商
APT45GP120B2DQ2G
制造廠商:Microsemi(中文名:美高森美)
類別封裝:單路IGBT,原廠封裝
技術(shù)參數(shù):IGBT 1200V 113A 625W TMAX
(專注銷售Microsemi電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨。
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:APT45GP120B2DQ2G制造商:Microsemi Corporation(美高森美)描述:IGBT 1200V 113A 625W TMAX系列:POWER MOS 7IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):113ACurrent - Collector Pulsed (Icm):170A不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):3.9V @ 15V,45A功率 - 最大值:625WSwitching Energy:900μJ (開), 905μJ (關(guān))輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)Gate Charge:185nC25°C 時 Td(開/關(guān))值:18ns/100nsTest Condition:600V, 45A, 5 歐姆, 15V反向恢復(fù)時間 (trr):-封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:*APT45GP120B2DQ2G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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