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APT6030BN供應(yīng)商
產(chǎn)品參考圖片
APT6030BN參考圖片
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聯(lián)系方式
APT6030BN
  • 制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
  • 類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：TO-247AD
  • 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
  • （專(zhuān)注銷(xiāo)售Microsemi電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
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    • 參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：APT6030BN
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列：POWER MOS IV?
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • FET類(lèi)型：N 通道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：600V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：23A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：300 毫歐 @ 11.5A，10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：210nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：3500pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：360W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型：通孔
  • 器件封裝：TO-247AD
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