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產(chǎn)品參考圖片
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APT60M80L2VRG
  • 制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
  • 類別封裝：單端場效應(yīng)管，264
  • 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
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    • 參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號：APT60M80L2VRG
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
  • 系列：POWER MOS V
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss)：600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：65A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：80 毫歐 @ 32.5A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 5mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：590nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：13300pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：833W
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA
  • 供應(yīng)商器件封裝：264 MAX [L2]
  • APT60M80L2VRG的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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