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APT65GP60L2DQ2G
  • 制造廠商:Microsemi(中文名:美高森美)
  • 類別封裝:單路IGBT,原廠封裝
  • 技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 198A 833W TO264
  • (專注銷售Microsemi電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨。
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  • 參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:APT65GP60L2DQ2G
  • 制造商:Microsemi Corporation(美高森美)
  • 描述:IGBT 600V 198A 833W TO264
  • 系列:POWER MOS 7
  • IGBT 類型:PT
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):198A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):250A
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.7V @ 15V,65A
  • 功率 - 最大值:833W
  • Switching Energy:605μJ (開), 895μJ (關(guān))
  • 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
  • Gate Charge:210nC
  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:30ns/90ns
  • Test Condition:400V, 65A, 5 歐姆, 15V
  • 反向恢復(fù)時間 (trr):-
  • 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA
  • 安裝類型:通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝:*
  • APT65GP60L2DQ2G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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