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APT66F60B2
  • 制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
  • 類別封裝：單端場效應管，T-MAX
  • 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 70A TO-247
  • （專注銷售Microsemi電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨�。�
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    • 參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號：APT66F60B2
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 70A TO-247
  • 系列：POWER MOS 8?
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標準
  • 漏源極電壓 (Vdss)：600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：70A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：90 毫歐 @ 33A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：330nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：13190pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：1135W
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝/外殼：TO-247-3 變式
  • 供應商器件封裝：T-MAX [B2]
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