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APTM100A13DG供應(yīng)商
產(chǎn)品參考圖片
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APTM100A13DG
  • 制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
  • 類別封裝：場效應(yīng)管模塊，SP6
  • 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
  • （專注銷售Microsemi電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
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    • 參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號：APTM100A13DG
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
  • 系列：-
  • FET 類型：2 個 N 通道（半橋）
  • FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：65A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：156 毫歐 @ 32.5A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 6mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：562nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：15200pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：1250W
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝/外殼：SP6
  • 供應(yīng)商器件封裝：SP6
  • APTM100A13DG的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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