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APTM100H35FTG
  • 制造廠商:Microsemi(中文名:美高森美)
  • 類別封裝:場效應(yīng)管模塊,SP4
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4
  • (專注銷售Microsemi電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨!)
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  • 參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:APTM100H35FTG
  • 制造商:Microsemi Corporation(美高森美)
  • 描述:MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4
  • 系列:-
  • FET 類型:4 個 N 通道(H 橋)
  • FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):22A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):420 毫歐 @ 11A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):186nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5200pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:390W
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝/外殼:SP4
  • 供應(yīng)商器件封裝:SP4
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