APTM100H45STG
制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
類別封裝：場效應管模塊，SP4
技術參數：MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
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參數詳情：
制造商產品型號：APTM100H45STG制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4系列：-FET 類型：4 個 N 通道（H 橋）FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：18A不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：540 毫歐 @ 9A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：154nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4350pF @ 25V功率 - 最大值：357W安裝類型：底座安裝封裝/外殼：SP4供應商器件封裝：SP4APTM100H45STG的訂貨細節(jié)及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
