APTM10HM09FT3G
制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
類別封裝：場效應管模塊，SP3
技術參數：MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
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參數詳情：
制造商產品型號：APTM10HM09FT3G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3系列：-FET 類型：4 個 N 通道（H 橋）FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：139A不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：10 毫歐 @ 69.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：350nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：9875pF @ 25V功率 - 最大值：390W安裝類型：底座安裝封裝/外殼：SP3供應商器件封裝：SP3APTM10HM09FT3G的訂貨細節(jié)及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
