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APTM50H14FT3G供應(yīng)商
產(chǎn)品參考圖片
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APTM50H14FT3G
  • 制造廠商:Microsemi(中文名:美高森美)
  • 類別封裝:場(chǎng)效應(yīng)管模塊,SP3
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3
  • (專注銷售Microsemi電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨。
  • (您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購)
  • 參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):APTM50H14FT3G
  • 制造商:Microsemi Corporation(美高森美)
  • 描述:MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3
  • 系列:-
  • FET 類型:4 個(gè) N 通道(H 橋)
  • FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss):500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):26A
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):168 毫歐 @ 13A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):72nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):3259pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:208W
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝/外殼:SP3
  • 供應(yīng)商器件封裝:SP3
  • APTM50H14FT3G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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